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三星转用台积电3nm工艺为英伟达生产HBM基底裸片

三星电子宣布将采用台积电的3纳米工艺，为英伟达生产下一代高带宽内存（HBM）的核心组件——基底裸片。此举标志着三星调整了其HBM产品的一站式全包制造模式，以响应英伟达对供应链标准化的要求。英伟达同时要求所有HBM供应商统一使用台积电3nm工艺制造基底裸片，并使用其1c工艺制造核心裸片，旨在实现性能稳定一致并简化验证流程。这一变化对全球HBM产业链格局及主要厂商的竞争策略将产生深远影响。